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半导体氧化制程的一些要点

1)氧化层的成长速率不是一直维持恒定的趋势,制程时间与成长厚度之重复性是较为重要之考量。

2)后长的氧化层会穿透先前长的氧化层而堆积于上;换言之,氧化所需之氧或水汽,势必也要穿透先前成长的氧化层到硅质层。故要生长更厚的氧化层,遇到的阻碍也越大。

3)干氧层主要用于制作金氧半(MOS)晶体管的载子信道(channel);而湿氧层则用于其它较不严格讲究的电性阻绝或制程罩幕(masking)。前者厚度远小于后者,1000~1500埃已然足够。

4)对不同晶面走向的晶圆而言,氧化速率有异:通常在相同成长温度、条件、及时间下,厚度≧厚度>厚度。

5)导电性佳的硅晶氧化速率较快。

6)适度加入氯化氢(HCl)氧化层质地较佳;但因容易腐蚀管路,已渐少用。

7)氧化层厚度的量测,可分破坏性与非破坏性两类。前者是在光阻定义阻绝下,泡入缓冲过的BOEBufferedOxideEtch,系HFNH4F16的比例混合而成的腐蚀剂)将显露出来的氧化层去除,露出不沾水的硅晶表面,然后去掉光阻,利用表面深浅量测仪(surfaceprofileroralphastep),得到有无氧化层之高度差,即其厚度。

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